HGTP12N60C3D ON Semiconductor

Pd - рассеивание мощности: 104 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 9.4 mm, Длина: 10.67 mm, Другие названия товара №: HGTP12N60C3D_NL, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.65 V, Непрерывный коллекторный ток: 24 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 24 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 24 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 800, Серия: HGTP12N60C3D, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: +/- 100 nA, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.83 mm, Бренд: ON Semiconductor

HGTP12N60C3D – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 1 058 ₽ за штуку. Купите HGTP12N60C3D по специальной цене оптом или в розницу в интернет-магазине. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\ Купить HGTP12N60C3D ON Semiconductor в интернет-магазине оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на HGTP12N60C3D вы сможете, позвонив в интернет-магазине по номеру, указанному вверху страницы.\