PESD3V3L4UG.115 NXP Semiconductors

Maximum Operating Temperature: +150 °C, ESD protection: Yes, Maximum Clamping Voltage: 12V, Maximum Peak Pulse Current: 3A, Package Type: UMT, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 1.35мм, Test Current: 1mA, Height: 1мм, Размеры: 2.2 x 1.35 x 1мм, Тип направления: Однонаправленный, Конфигурация диода: Общий анод, Number of Elements per Chip: 4, Длина: 2.2мм, Minimum Breakdown Voltage: 5.32V, Brand: Nexperia, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Maximum Reverse Stand-off Voltage: 3.3V, Maximum Reverse Leakage Current: 300нА, Число контактов: 5, Рассеяние пиковой импульсной мощности: 30W, Вес, г: 0.05, Бренд: NXP Semiconductor

PESD3V3L4UG.115 – артикул товара бренда NXP Semiconductors с розничной ценой 75 ₽ за штуку. Купите PESD3V3L4UG.115 по специальной цене оптом или в розницу в интернет-магазине. Специальная цена распространяется на всю продукцию NXP Semiconductors для наших постоянных клиентов.\

\ Купить PESD3V3L4UG.115 NXP Semiconductors в интернет-магазине оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги NXP Semiconductors и уточнить персональную цену на PESD3V3L4UG.115 вы сможете, позвонив в интернет-магазине по номеру, указанному вверху страницы.\