IXFQ50N60X Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 50 A, Pd - рассеивание мощности: 660 W, Qg - заряд затвора: 116 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 73 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 62 ns, Время спада: 13 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 60 ns, Типичное время задержки при включении: 28 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка / блок: TO-3P-3, Вес, г: 5.5, Бренд: Ixys Corporation

IXFQ50N60X – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 811 ₽ за штуку. Купите IXFQ50N60X по специальной цене оптом или в розницу в интернет-магазине. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXFQ50N60X Ixys в интернет-магазине оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFQ50N60X вы сможете, позвонив в интернет-магазине по номеру, указанному вверху страницы.\