APTGT35A120T1G Microchip

Pd - рассеивание мощности: 208 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Dual, Максимальная рабочая температура: + 100 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 55 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SP1-12, Вес, г: 80, Бренд: Microchip Technology

APTGT35A120T1G – артикул товара бренда Microchip с розничной ценой 25 343 ₽ за штуку. Купите APTGT35A120T1G по специальной цене оптом или в розницу в интернет-магазине. Специальная цена распространяется на всю продукцию Microchip для наших постоянных клиентов.\

\ Купить APTGT35A120T1G Microchip в интернет-магазине оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги Microchip и уточнить персональную цену на APTGT35A120T1G вы сможете, позвонив в интернет-магазине по номеру, указанному вверху страницы.\