FQD10N20LTM, Транзистор: N-MOSFET полевой 200В 4,8А 51Вт DPAK ON Semiconductor

Id - непрерывный ток утечки: 7.6 A, Pd - рассеивание мощности: 2.5 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 290 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 200 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 150 ns, Время спада: 95 ns, Высота: 2.39 mm, Длина: 6.73 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 9.6 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: FQD10N20L, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 50 ns, Типичное время задержки при включении: 13 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-252-3, Ширина: 6.22 mm, Вес, г: 0.03, Бренд: ON Semiconductor

FQD10N20LTM, Транзистор: N-MOSFET полевой 200В 4,8 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 423 ₽ за штуку. Купите FQD10N20LTM, Транзистор: N-MOSFET полевой 200В 4,8 по специальной цене оптом или в розницу в интернет-магазине. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\ Купить FQD10N20LTM, Транзистор: N-MOSFET полевой 200В 4,8 ON Semiconductor в интернет-магазине оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FQD10N20LTM, Транзистор: N-MOSFET полевой 200В 4,8 вы сможете, позвонив в интернет-магазине по номеру, указанному вверху страницы.\