IXFL38N100P Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 29 A, Pd - рассеивание мощности: 520 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 230 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 1 kV, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 55 ns, Время спада: 40 ns, Высота: 26.42 mm, Длина: 20.29 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFL38N100, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 71 ns, Типичное время задержки при включении: 74 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Ширина: 5.21 mm, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation

IXFL38N100P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 6 444 ₽ за штуку. Купите IXFL38N100P по специальной цене оптом или в розницу в интернет-магазине. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXFL38N100P Ixys в интернет-магазине оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXFL38N100P вы сможете, позвонив в интернет-магазине по номеру, указанному вверху страницы.\